graphene-supermarket 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P说明书
CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 8 Pack
在SiO2 / Si晶片上的CVD石墨烯薄膜/ CVD h-BN薄膜异质结构:8个装
石墨烯/ h-BN薄膜的性质:单层h-BN膜上的单层石墨烯膜 转移到285nm(p掺杂)SiO 2 / Si晶片上 尺寸:1cmx1cm; 8包 每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制 该产品的覆盖率约为98% 薄膜是连续的,有小孔和有机残留物 高结晶质量 石墨烯薄膜预先单层(超过95%),偶尔有小的多层岛(低于5%的双层) 薄层电阻:430-800Ω/平方 石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长,然后转移到SiO 2 / Si晶片上。 要在转移前查看薄膜的特性,请参阅我们的相关产品 铜箔上的石墨烯 和 铜箔上的h-BN。
硅/二氧化硅晶片的特性:氧化层厚度:285nm 氧化层厚度:285nm 颜色:紫罗兰色 晶圆厚度:525微米 电阻率:0.001-0.005欧姆 – 厘米 型号/掺杂剂:P /硼 方向:<100> 前表面:抛光 背面:蚀刻
应用:石墨烯/ hBN界面用于需要门控石墨烯,增加迁移率和减少散射的场合。 h-BN作为基于石墨烯的电子器件的基底具有吸引力,因为其表面原子级光滑,没有悬空键,并且具有与石墨烯类似的结构。 在石墨烯上使用我们的SiO2 / Si晶片上的h-BN将鼓励您探索用于晶体管应用的石墨烯异质结构
我们的石墨烯/ h-BN薄膜使用PMMA辅助转移方法制造。有关详细信息,请参阅以下参考。 我们可以在4“晶圆上提供定制尺寸的石墨烯/ h-BN薄膜。有关详细信息,请通过info@graphenelab.com与我们联系。
学术参考/阅读更多石墨烯生长 在铜箔上大面积合成高质量和均匀的石墨烯薄膜科学2009年6月5日:Vol。324.没有。5932,pp.1312 – 1314 石墨烯转移 用于高性能透明导电电极的大面积石墨烯薄膜的转移,Li et.al.,Nano Lett。,2009,9(12),pp 4359-4363 走向清洁和无裂缝转移石墨烯Liang et.al.,ACS Nano,2011,5(11),pp 9144-9153 石墨烯/ h-BN异质结构 石墨烯,六方氮化硼(h-BN)和石墨烯/ h-BN异质结构的电学性质和应用 Materials Today Physics,Science Direct:Vol 2,September 2017,pp 6-34 第2卷,2017年9月,第6-34页作者链接打开覆盖面板
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SKU | 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P | |
重量 | 0.10磅 | |
550.00美元 |
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