1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P说明书

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CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 8 Pack

在SiO2 / Si晶片上的CVD石墨烯薄膜/ CVD h-BN薄膜异质结构:8个装

 

石墨烯/ h-BN薄膜的性质:

单层h-BN膜上的单层石墨烯膜  转移到285nm(p掺杂)SiO 2 / Si晶片上

尺寸:1cmx1cm; 8包

每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制

该产品的覆盖率约为98%

薄膜是连续的,有小孔和有机残留物

高结晶质量

石墨烯薄膜预先单层(超过95%),偶尔有小的多层岛(低于5%的双层)

薄层电阻:430-800Ω/平方

石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长,然后转移到SiO 2 / Si晶片上。

要在转移前查看薄膜的特性,请参阅我们的相关产品  铜箔上的石墨烯 和  铜箔上的h-BN。

 

硅/二氧化硅晶片的特性:

氧化层厚度:285nm

氧化层厚度:285nm

颜色:紫罗兰色

晶圆厚度:525微米

电阻率:0.001-0.005欧姆 – 厘米

型号/掺杂剂:P /硼

方向:<100>

前表面:抛光

背面:蚀刻

 

应用:

石墨烯/ hBN界面用于需要门控石墨烯,增加迁移率和减少散射的场合。

h-BN作为基于石墨烯的电子器件的基底具有吸引力,因为其表面原子级光滑,没有悬空键,并且具有与石墨烯类似的结构。

在石墨烯上使用我们的SiO2 / Si晶片上的h-BN将鼓励您探索用于晶体管应用的石墨烯异质结构

 

我们的石墨烯/ h-BN薄膜使用PMMA辅助转移方法制造。有关详细信息,请参阅以下参考。

我们可以在4“晶圆上提供定制尺寸的石墨烯/ h-BN薄膜。有关详细信息,请通过info@graphenelab.com与我们联系。

 

学术参考/阅读更多

石墨烯生长

在铜箔上大面积合成高质量和均匀的石墨烯薄膜科学2009年6月5日:Vol。324.没有。5932,pp.1312 – 1314

石墨烯转移

用于高性能透明导电电极的大面积石墨烯薄膜的转移,Li et.al.,Nano Lett。,2009,9(12),pp 4359-4363

走向清洁和无裂缝转移石墨烯Liang et.al.,ACS Nano,2011,5(11),pp 9144-9153

石墨烯/ h-BN异质结构

石墨烯,六方氮化硼(h-BN)和石墨烯/ h-BN异质结构的电学性质和应用

Materials Today Physics,Science Direct:Vol 2,September 2017,pp 6-34

第2卷2017年9月,第6-34页作者链接打开覆盖面板 

 

 
SKU 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P
重量 0.10磅
 
550.00美元 

 

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