graphene-supermarket 1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P说明书
CVD Graphene Film/CVD h-BN Film Heterostructure on SiO2/Si wafer: 8 Pack
在SiO2 / Si晶片上的CVD石墨烯薄膜/ CVD h-BN薄膜异质结构：8个装
石墨烯/ h-BN薄膜的性质：
单层h-BN膜上的单层石墨烯膜 转移到285nm（p掺杂）SiO 2 / Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8包
每个薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的覆盖率约为98％
薄膜是连续的，有小孔和有机残留物
高结晶质量
石墨烯薄膜预先单层（超过95％），偶尔有小的多层岛（低于5％的双层）
薄层电阻：430-800Ω/平方
石墨烯薄膜以及h-BN薄膜通过CVD方法在铜箔上生长，然后转移到SiO 2 / Si晶片上。
要在转移前查看薄膜的特性，请参阅我们的相关产品 铜箔上的石墨烯 和 铜箔上的h-BN。
硅/二氧化硅晶片的特性：
氧化层厚度：285nm
氧化层厚度：285nm
颜色：紫罗兰色
晶圆厚度：525微米
电阻率：0.001-0.005欧姆 – 厘米
型号/掺杂剂：P /硼
方向：<100>
前表面：抛光
背面：蚀刻
应用：
石墨烯/ hBN界面用于需要门控石墨烯，增加迁移率和减少散射的场合。
h-BN作为基于石墨烯的电子器件的基底具有吸引力，因为其表面原子级光滑，没有悬空键，并且具有与石墨烯类似的结构。
在石墨烯上使用我们的SiO2 / Si晶片上的h-BN将鼓励您探索用于晶体管应用的石墨烯异质结构
我们的石墨烯/ h-BN薄膜使用PMMA辅助转移方法制造。有关详细信息，请参阅以下参考。
我们可以在4“晶圆上提供定制尺寸的石墨烯/ h-BN薄膜。有关详细信息，请通过info@graphenelab.com与我们联系。
学术参考/阅读更多
石墨烯生长
在铜箔上大面积合成高质量和均匀的石墨烯薄膜科学2009年6月5日：Vol。324.没有。5932，pp.1312 – 1314
石墨烯转移
用于高性能透明导电电极的大面积石墨烯薄膜的转移，Li et.al.，Nano Lett。，2009,9（12），pp 4359-4363
走向清洁和无裂缝转移石墨烯Liang et.al.，ACS Nano，2011,5（11），pp 9144-9153
石墨烯/ h-BN异质结构
石墨烯，六方氮化硼（h-BN）和石墨烯/ h-BN异质结构的电学性质和应用
Materials Today Physics，Science Direct：Vol 2，September 2017，pp 6-34
第2卷，2017年9月，第6-34页作者链接打开覆盖面板
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| SKU |
1ML-CVD-GRAPH-BN-SiO2-8P |
| 重量 |
0.10磅 |
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| 550.00美元 |
详细的图像
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